固态硬盘是近年来的热门话题，但有关这种和传统硬盘完全不同的存储介质，恐怕很多人心中都还存有不少疑问。HardOCP网站日前请到了Intel固态硬盘工程师Jonathan Schmidt，解答了普通用户提出的许多有关固态硬盘使用中的问题。虽然其中很多都属于入门级问题，但相信大多数人看完仍会有所收获。
一周前，Intel针对其X18-M和X25-M系列固态硬盘发布了新版固件，意在解决长期使用导致性能下滑的问题，首先发现并曝光这一缺陷的PCPer网站也迅即进行了验证测试，通过ATTO和HDTach的数据证实新固件确实有效。
日本网站PCWatch今天又搬出了另外两款磁盘测试工具CrystalDiskMark和HD Tune Pro，对新旧固件进行了更直接的对比，结果显示X25-M在固件升级后读取性能其实没什么变化，基本可以忽略，但写入性能有了非常明显的改善，各种尺寸数据包下的写入速度、平均访问时间和每秒操作数(IOPS)都能回归正常水平，可以说是焕发了第二春，只不过CPU占用率略有提高。
作为固态硬盘市场的明星产品，英特尔X25-M前一段时间曝出的长期使用后读写性能下降的问题着实让SSD发烧友的心头蒙上了一层阴影。而在国外网站PCPer首先披露这一消息后，英特尔方面的态度也由起初的质疑测试方式到后来的承认有这方面的可能再到近日终于推出了新的固件，用户可以通过更新固件的方式来改善磁盘长期读写的性能问题。
4月14日，Intel承认是PCPer首先发现了这一问题并报告给了Intel公司。但他们也表示，在普通用户的日常使用中，出现此类问题的可能性很小，虽然如此，英特尔还是推出了全新的固件来改善性能，该固件一经推出就受到了不少网友的关注，包括该问题发现者PCPer在内的多个网站都对使用新固件的固态硬盘性能进行了测试，结果表明磁盘的整体性能尤其是写入性能确实有了明显的改善。下面就让我们来一起看一下测试的过程。
在观看测试过程之前我们有必要先了解一下该问题出现的原因，Intel的X25-M/X18-M使用的是低速度的MLC闪存颗粒，通过使用多路并行读写技术实现超高性能。但正是由于这种多路并行读写技术，导致它在读写当中可能出现大量碎片。由于存取机制的不同，传统的磁盘整理功能对这种固态硬盘碎片无能为力，只能依靠固件优化或彻底全盘清空才能恢复正常。这也就是出现这种长期使用性能下降问题的根本原因。而英特尔提供的固件更新程序是以光盘镜像的形式出现，需刻录成盘并从该盘启动进行升级。需要注意的问题包括：
1. 在升级固件前需关闭RAID模式，升级完成后再重新开启。
2. 部分NVIDIA芯片组主板可能不支持固件升级，需要在其他平台上完成升级后再移回NVIDIA平台使用。
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