这条超大容量内存条基于三星的50nm工艺4Gb内存颗粒，工作电压为1.35V，除了节约内存插槽实现更大容量外，还能有效降低功耗。每条内存共使用了72个4Gb DDR3 Die，18颗存储芯片。通过QDP(quad-die package)多重封装技术，每颗存储颗粒内封装4 die，双面各9颗颗粒(含校验位)，组成了32GB的惊人容量。
三星援引IDC的报告称，预计2009年DDR3将占到全球DRAM市场的29%，2011年将达到75%。而2Gb及以上的大容量颗粒在2009年仅占到市场容量的3%，2011年将达到33%。
