海力士成功研发世界最高性能移动DRAM

时间:2009-05-07   来源:赛迪网   网友评论:0   人气: 104 作者:

 Hynix(海力士)半导体成功研发采用54纳米技术的世界最高性能的1Gb移动低电双倍速率(LPDDR2)动态随机存储器(DRAM)产品。Hynix表示,该产品是世界上第一款可以在平均1.2伏的低电压下实现1066Mbps超高速数据传输速度的移动DRAM,在工艺技术、电压、速度方面具备世界最高性能。

  据介绍,该产品可在平均1.2伏、最低1.14伏的低电压下工作,接近于现有的1.8伏移动DRAM的50%,并且仅为PC DDR2产品的30%。这意味着,1秒内下载5、6部普通长度的电影成为可能,堪称世界最高水平的数据传输速度。

  韩联社表示,该产品待机耗电量低,又具有很高的速度,适合超移动电脑(UMPC)、便携式媒体播放器(PMP)、手机等移动互联网设备、上网笔记本电脑、高性能智能手机等,还可提供符合相关产品的”单芯片解决方案”功能。

  Hynix计划今年第三季度开始生产新产品,明年初推出40纳米级LPDDR2产品,并在明年将其在移动LPDDR2市场的份额扩大30%以上。

  目前Hynix半导体是世界第二大DRAM制造商。

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