服务器内存DDR2的尴尬 DDR3继续?

时间:2008-11-29   来源:   网友评论:0   人气: 560 作者:

进入2007年,DDR3内存似乎越来越热了,在一些大展上我们能看到一些DDR3内存模组的实物展示,甚至已经有了支持DDR3的主板,当然也有了相关的评测与评论。这不禁让我想起了DDR2当初的情景。

在SDRAM时代,从PC66到PC133再到最后的PC150、PC166等非官方标准的出台,直至DDR内存上市,用了5年的时间,而从DDR-200到DDR-400再到后来的DDR-500/533/566,直至DDR2内存上市,只用了3年多时间。现在又快3年过去了,DDR2也再次与其接班人在频率上进行高位交接,而不是顺位交接,一切都那么的相似,只是间隔越来越短了。

所谓的高位交接,是指被接替者已经发展到了超出自身标准规范的水平,从而在频率上与后来者有一定的重叠。比如DDR时代,400是最高的官方标准,但后来的500/533/566也相继出现,在一定程度上与DDR2-533形成了重叠,DDR2与DDR3的交接也是如此。

正是因为这种交接重叠的存在,让DDR2在当初刚上市时长期被扣上了一个性能不佳的帽子,如今这一幕也在DDR3的身上上演。可在SDRAM至DDR交接过程中,似乎并没有人这么说DDR,那是因为SDRAM很难达到PC-2000的标准,而这才只是DDR的起点。

某模组厂商的DDR(左)与DDR2内存模组简要指标 ,从中我们了解到这种重叠交接区的范围有多大(点击放大)

DDR/DDR2/DDR3在理念上讲,都是一脉相承的,基本的原理还是DDR,只是不断的加大预取位宽以降低内核频率,从而可以将外频提高到更高的水平,以达到提升性能的目的。在DDR/DDR2/DDR3的交接过程中,我们必须要明白的是,只要外频(或者是时钟频率)一样,那么它们的性能就是一样的。但由于物理上的限制,DDR最终达不到DDR2的中高水平,DDR2也同样达不到DDR3的中高水平,这也就是升级的最大动力所在。

但是,在官方标准中,DDR到DDR2,DDR2到DDR3的交接是线性的,DDR的终点是DDR400,DDR2的起点是DDR2-400,终点是DDR2-800,而这也是DDR3的起点,当我们仔细看看这些官方标准的规定时,就会发现它们没有似乎并没有什么性能上的差距。不过在深入讨论前,还是先让我们复习一下内存的时序参数。

内存模组延迟方面的参数中,通常所说的3-3-3/4-4-4,都是指CL/tRCD/tRP,这三个参数我就不在这详细解释了,有兴趣的读取请参考本人早几年前的专题《高手进阶,终极内存技术指南——完整/进阶版》。但在DD3出现后,我们发现大家对这三个参数所代表的具体时长仍然有较大的误解,包括一些媒体的编辑,在写文章时也只关注于数字上的区别,而似乎不明白其背后的含义。所谓的CL/tRCD/tRP周期数,都离不开单位周期的时长,而这个时长是与内存的时钟频率有关的,并不是一个绝对的数值。比如说DDR-400与DDR2-533,如果都是3-3-3,那么谁更快呢?显然是后者,因为后者的频率更高,单周期时长更短。

为了方便读者自行对比,我制作了下面这张表,然后大家可以用一些内存模组的参数来对照。

DDR内存家族延迟时序周期对照表(点击放大)

现在我们再来看看一家非常正规的内存厂商(它不以自己的牌子在零售市场上销售内存模组)自己给出的其模组产品的总体规格,分DDR2和DDR3两大类。你能发现什么吗?

如果以DDR2-800(PC2-6400)为例,我们可以看看,其标准的时序是5-5-5或6-6-6,在4-5-5时可以在PC2-4200(DDR2-533)下工作。如果以5-5-5计算,就是45ns的总延时。而再看DDR3-800(PC3-6400),也是一样的5-5-5或6-6-6,而在行活动周期(tRC)一项上则领先于DDR2。

可是我们再看最开始我们给出的那家模组厂商的产品参数,DDR2-800可以达到4-4-4,业界还有比它更厉害的,是3-3-3。但我们在哪些也没找到有这种能力的内存芯片,显然大多是通过加电压而获得的这种能力(标准的DDR2内存模组是1.8±0.1V)。

如果用这种产品与我们上面所说的,按照正规标准设计的模组相比,显然是不公平的。但我们可以看看在DDR/DDR2对比,以及DDR2/DDR3的对比中,低一级的产品所使用都是什么模组呢?大多是DIY专用的发烧级产品,而新一级的产品则是按部就班老老实实的提供非常标准而正规的产品,从而更不要说低级产品以“越级”的方式以更高的频率来对抗高一级的产品了。


 

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