40nm工艺 三星低电压DDR3内存功耗测试

时间:2010-11-16   来源:   网友评论:0   人气: 1574 作者:

【IT168评测中心】Samsung三星电子是半导体业界的大厂商,在服务器领域,我们主要接触的三星产品是内存——内存颗粒以及内存条。三星的服务器内存颗粒或者原厂内存很是常见。


本次主角:Samsung内存模组


Xeon 5600:Westmere-EP,官方支持1.35V的低电压内存

  在绿色低碳的大环境下,和其他半导体产品一样,内存系统的功耗也在不停地降低当中。因为在一个大型服务器当中,除了处理器占用了一个主要的功耗之外,内存系统的功耗也不容忽视:


不同容量的60nm工艺内存条在服务器系统中的功耗百分比

  工艺改进可以降低功耗。现在市面上使用的内存模组都是基于老的60nm/50nm工艺,约在上一年下半年,三星开始使用40nm工艺制造内存:


09年第四季度左右开始大量生产40nm内存产品

  新的制程不仅提升了内存密度,让制造更大容量的内存模组成为可能,同时内存模组的工作电压也得到了降低:


48GB内存功耗对比:40nm比60nm降低了73%

  日前推出的Intel Westmere-EP平台也开始支持新的低至1.35V工作电压的DDR3内存,我们从三星获得了搭配的内存模组:40nm工艺、48GB容量的1.35V R-ECC DDR3 1333内存,下面我们就来看看这套新工艺制作的大容量低电压内存套装


 

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